Energieeffiziente Netzwerke mit PoE realisieren

Neue Halbleitertechnologien erlauben höhere Stromstärken

Ohne zahlreiche wichtige Fortschritte in der Halbleitertechnik von PoE-PSEs hätte die Erhöhung der Stromstärke von 350 mA auf 600 mA beim Übergang der Industrie zu PoE-Plus die Hersteller von PoE-Switchen vor erhebliche Probleme gestellt. Frühere, für IEEE802.3af hergestellte PoE PSE-ICs besaßen einen RMess von 2 Ohm und einen RDSon(FET) von 0,5 Ohm, was bedeutet, dass bei der DC-Trennung pro Port 0,3 Watt an den Widerständen und FETs verloren ging.

Demgegenüber besitzen die neuesten intelligenten PoE PSE-ICs weitaus kleinere Messwiderstände (0,5 Ohm) sowie externe oder sehr kleine interne FETs (0,1 Ohm), was den Leistungsverlust auf 0,07 Watt/Port im IEEE802.3af-Mode oder 0,22 Watt/Port im IEEE802.3at-Modus bei DC-Trennung (wenn unterstützt) verringert.

Die leistungsstärkeren PoE-ICs der nächsten Generation benötigen auch sehr kurze Reaktionszeiten, um den Wechsel zu heutigen neuen Hochleistungsarchitektur der PoE-PSE zu unterstützen, bei der die PSEs eine kleine interne beziehungsweise Standardstromversorgung besitzen und dann entsprechend den Kundenanforderungen mit einer zusätzlichen Stromversorgung aufgerüstet werden können.