Zukünftige Speichertechnologien, Teil 1

Diamantchips

Ende 2002 hat die japanische Regierung ein Gemeinschaftsprojekt initiiert, um im Jahr 2003 die Forschung mit Diamant-Chiptechnik zu unterstützen. Ab April 2003 sollte das Projekt mit etwa sechs Millionen US-Dollar angeschoben werden. Diamanten als Halbleiter können bis zu einer Temperatur von 1000 Grad Celsius betrieben werden (Silizium bis 150 Grad Celsius). Spannungen bis etwa 200 Volt können an Diamantchips angelegt werden (20 Volt an Silizium). Elektroden aus Diamant geben zudem mehr Elektronen ab und sind doppelt so lange einsetzbar wie herkömmliche Elektroden.

Es gibt schon vereinzelt Anwendungen, in denen man Diamantchips einsetzt. Allerdings sind diese um Größenordnungen teurer als Siliziumchips. Die Elektronengeschwindigkeit im Diamant ist nicht sehr hoch. Man versucht, diese mit Hilfe von gezielten Verunreinigungen (Doping) zu erhöhen. Besonders interessant ist Diamant als Laserquelle für ultraviolettes Licht mit 235 nm Wellenlänge. Die bisherige untere Grenze für kommerziell nutzbare Laserdioden liegt bei 405 nm. Kürzere Wellenlängen ermöglichen bei optischen Speichern kleinere Bitflächen und damit höhere Speicherdichten.