Arnold Sommerfeld-Preis der BAdW: Nanoelektronik mit Y-Schaltern und Quantendrähten

Abb. 3: Elektronenmikroskopische Aufnahme eines nanoelektronischen Volladdierers, bestehend aus einem Carry-Bit und zwei kaskadierten XOR-Gattern als SUM-Bit. Die Leiterbahnen sind als stehen gebliebene Bereiche einer MOD-Struktur erkennbar. Jede Komponente, eingeschlossen die Verbindungen, besteht aus dem gleichen Material und wurde in einer Ebene realisiert. Zur besseren Identifizierung der einzelnen Komponenten sind die Schemata der Grundbausteine Carry-Bit, XOR-Gatter und SUM-Bit unterhalb gezeigt. Zur Realiserung des SUM-Bit ist der Ausgang des ersten XOR-Gatters mit dem Eingang des zweiten XOR-Gatters kurzgeschlossen

Abb. 3: Elektronenmikroskopische Aufnahme eines nanoelektronischen Volladdierers, bestehend aus einem Carry-Bit und zwei kaskadierten XOR-Gattern als SUM-Bit. Die Leiterbahnen sind als stehen gebliebene Bereiche einer MOD-Struktur erkennbar. Jede Komponente, eingeschlossen die Verbindungen, besteht aus dem gleichen Material und wurde in einer Ebene realisiert. Zur besseren Identifizierung der einzelnen Komponenten sind die Schemata der Grundbausteine Carry-Bit, XOR-Gatter und SUM-Bit unterhalb gezeigt. Zur Realiserung des SUM-Bit ist der Ausgang des ersten XOR-Gatters mit dem Eingang des zweiten XOR-Gatters kurzgeschlossen

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