Test: DDR-SDRAM schlägt Rambus
Geringer Leistungsverbrauch
Mainboards für PC266 benötigen für den Speicher einen zusätzlichen Spannungsregler. Gegenüber den 3,3 V bei SDRAM setzt DDR-Speicher auf eine Versorgungsspannung von nur 2,5 V. Damit folgt DDR dem allgemeinen Trend zu niedrigeren Betriebsspannungen und somit geringerem Leistungsverbrauch.
Neben der geringeren Versorgungsspannung kommen DDR-SDRAMs mit 20 Prozent kleineren Kapazitäten der Speicherkondensatoren in den DRAM-Zellen aus. Durch beide Maßnahmen reduziert sich der Leistungsbedarf von PC266-Speicher im Idealfall auf die Hälfte von PC133-SDRAMs. Gerade für Notebooks ist DDR-SDRAM somit eine höchst interessante Speichertechnik, da damit die Akkulaufzeiten erhöht werden.
Speichertyp | SDRAM | DDR-SDRAM | RDRAM |
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Spannungsversorgung | 3,3 V | 2,5 V | 2,5 V |
DRAM Core | Parallel Interface | Parallel Interface | Protokoll |
I/O Interface | LVTTL | SSTL | Rambus |
Bank Konfiguration | 4 Bänke | 4 Bänke | 16 Bänke |
Bit Organisation | x4/x8/x16 | x4/x8/x16 | x16/x18 |
IC-Gehäuse | 54-Pin TSOP | 66-Pin TSOP | 74-Pin CSP |
RDRAMs besitzen zwar ebenfalls eine niedrige Versorgungsspannung von 2,5 V. Intel hat seine Rambus-Pläne für Mobile-Chipsätze aber schon frühzeitig fallen lassen. Der unter dem Codenamen Greendale entwickelte Notebook-Chipsatz von Intel kam wegen technischer Probleme nie zum Einsatz. Neben thermischen Schwierigkeiten machten die bei RDRAM verwendeten hohen Frequenzen Probleme. Bedingt durch die hohe Packungsdichte war die störende Einkopplung in benachbarte Komponenten zu hoch. Hinzu kamen noch die hohen Kosten für RDRAM-Speicher.