Test: DDR-SDRAM schlägt Rambus

Geringer Leistungsverbrauch

Mainboards für PC266 benötigen für den Speicher einen zusätzlichen Spannungsregler. Gegenüber den 3,3 V bei SDRAM setzt DDR-Speicher auf eine Versorgungsspannung von nur 2,5 V. Damit folgt DDR dem allgemeinen Trend zu niedrigeren Betriebsspannungen und somit geringerem Leistungsverbrauch.

Neben der geringeren Versorgungsspannung kommen DDR-SDRAMs mit 20 Prozent kleineren Kapazitäten der Speicherkondensatoren in den DRAM-Zellen aus. Durch beide Maßnahmen reduziert sich der Leistungsbedarf von PC266-Speicher im Idealfall auf die Hälfte von PC133-SDRAMs. Gerade für Notebooks ist DDR-SDRAM somit eine höchst interessante Speichertechnik, da damit die Akkulaufzeiten erhöht werden.

Technische Daten der aktuellen Speicherarchitekturen

Speichertyp	SDRAM	DDR-SDRAM	RDRAM
Spannungsversorgung	3,3 V	2,5 V	2,5 V
DRAM Core	Parallel Interface	Parallel Interface	Protokoll
I/O Interface	LVTTL	SSTL	Rambus
Bank Konfiguration	4 Bänke	4 Bänke	16 Bänke
Bit Organisation	x4/x8/x16	x4/x8/x16	x16/x18
IC-Gehäuse	54-Pin TSOP	66-Pin TSOP	74-Pin CSP

RDRAMs besitzen zwar ebenfalls eine niedrige Versorgungsspannung von 2,5 V. Intel hat seine Rambus-Pläne für Mobile-Chipsätze aber schon frühzeitig fallen lassen. Der unter dem Codenamen Greendale entwickelte Notebook-Chipsatz von Intel kam wegen technischer Probleme nie zum Einsatz. Neben thermischen Schwierigkeiten machten die bei RDRAM verwendeten hohen Frequenzen Probleme. Bedingt durch die hohe Packungsdichte war die störende Einkopplung in benachbarte Komponenten zu hoch. Hinzu kamen noch die hohen Kosten für RDRAM-Speicher.